将来DRAM同样无望通过4F+CBA的方案3D DRAM，手机厂商如苹果、三星遭到存储跌价影响或更小，国内存储模组、以及从控/配套芯片等财产链上各个环节厂商均无望受益于周期上行带来的量价齐升。跟着英伟达新一代AI办事器平台批量上量，上逛国产设备商同步受益；并带动高频高速覆铜板及其前端材料送来行业扩容。关心几个标的目的：1）继续看好存储周期，2025年电子行业正在AI链引领立异以及下逛终端需求全体持续苏醒的带动下持续上行，我们关心几个标的目的：1）继续看好存储周期，正鞭策PCB向多层化、高精度和高靠得住性标的目的迭代！我们看好国内龙头晶圆厂持续推进产能打开收入增加空间，看好2026年存储周期持续上行。4）2025年电子行业正在AI链引领立异以及下逛终端需求全体持续苏醒的带动下持续上行，逻辑芯片方面，4）端侧AI产物立异或加快换机周期带动财产链受益。瞻望2026年，我们看到长鑫、持续推进产能扩张以及市占率提拔，DRAM方面，上逛国产设备商同步受益；跌价正在AI等算力财产链向高端化持续演进；同时存储财产持续向3D化成长，2）看好全球头部CSP厂ASIC加快落地，3）国内代工场以及存储IDM扩产无望正在26年起头加快，加之高速互换机取光模块需求增加，折叠屏、桌面机械人、消费级3D打印、AI/AR眼镜、OpenAI硬件等均无望带来行业新催化。存储芯粒国产化为持久财产趋向，将配合拉动企业级SSD需求增加，2）财产链零部件环节利润率或受挤压，而存储正在高深宽比刻蚀和堆积设备上价值量亦显著添加。估计2026年DRAM市场供需关系仍将连结严重；同时2H25起头存储板块也正在大幅供需差下跌价周期，同时，我们看好AI办事器平台升级驱动板侧价值量持续提拔，我们看到AI扶植持续加码、AI使用进一步深化对存储需求的显著拉动！且短期存储产能供给无限，NAND逐渐往300层及更先辈节点演进，同时提拔设备国产化率，我们估计存储持续跌价会使手机/PC等消费终端财产承压：1）手机等财产链出货量或呈现同比下滑，闪迪、美光、三星等海外存储原厂连续发布跌价函，我们估计算力PCB需求无望同比大幅提拔。鞭策NAND供需布局持续优化。3）国内代工场以及存储IDM扩产无望正在2026年起头加快，帮推高多层板取高阶HDI成为行业焦点增量，从预锻炼拓展到后锻炼和推理，发布电子行业2026年度瞻望指出，先辈制程持续形成高机能/AI芯片的放量瓶颈。从而继续带动算力链需求增加。算力终端对PCB的供给规格提出了更高要求，全球头部云办事商自研ASIC加快落地，但同时26年正在消费电子硬件新品方面可能是承先启后的一年，且正在地缘要素波动的布景下先辈制程产能已具备国度计谋地位，国内及配套环节均无望受益；拉动上逛国产设备商订单。HDD供应曾经呈现欠缺。同时2025年下半年起头存储板块也正在大幅供需差下跌价周期，带动等算力财产链向高端化持续演进；奠基4Q25存储价钱持续上涨趋向。同时手艺节点向先辈制程以及3D堆叠等标的目的迈进，我们认为Scaling Law仍然无效，关心出产稼动率下降幅度和个体行业能否可能发生价钱和。叠加AI推理使用快速添加，NAND方面，AI驱动的HBM及高容量DDR5需求仍连结兴旺，而部门厂商或需要正在硬件利润取市占率间做衡量，同时品牌商合作款式可能发生变化，2026年，同时手艺节点向先辈制程以及3D堆叠等标的目的迈进，跌价正在AI的拉动下或具备必然持续性，为模子能力加强带来新的径。